Tyskland·Innkjøper: GSI Helmholtzzentrum für SchwerionenforschungEntwicklung SiC-Gapschalter
Lukket·23 juli 2025
Entwicklung und der Fertigung zweier schneller Halbleiter-Gapschalter auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC), Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherringen bei GSI und FAIR für die Impedanzreduktion während des Strahlbetriebs mit hohen Intensitäten
Publisert
23.07.2025
Åpen for tilbud
23.07.2025
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