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Otnox
DEGermania·Stazione appaltante: GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung

Entwicklung SiC-Gapschalter

Chiusa·23 lug 2025

Entwicklung und der Fertigung zweier schneller Halbleiter-Gapschalter auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC), Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherringen bei GSI und FAIR für die Impedanzreduktion während des Strahlbetriebs mit hohen Intensitäten

Pubblicazione

23.07.2025

Aperta alle offerte

23.07.2025