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Allemagne·Acheteur: GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung

Entwicklung SiC-Gapschalter

Clôturé·23 juil. 2025

Entwicklung und der Fertigung zweier schneller Halbleiter-Gapschalter auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC), Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherringen bei GSI und FAIR für die Impedanzreduktion während des Strahlbetriebs mit hohen Intensitäten

Publié

23.07.2025

Ouvert aux offres

23.07.2025

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